PIN光电二极管(Photodiode)是由一个P-I-N结组成的半导体器件, 可将光信号转换成电信号，电信号随着光的变化而相应变化。它是针对一般PD的不足，在结构上加以改进而得，灵敏度比一般P-N结光电二极管要高，具有单方向导电特性。

　　市面上常用的硅光电池，一般工作于可见光波段，单晶硅光电转化率18%左右，多晶硅光电转化率16%左右，一般不会考虑信噪比。硅光电池时间常数大，瞬变过程慢;其生产成本高。

　　相较于硅光电池，PIN光电二极管具有更加优越的特性：

　　1. 感光波长范围广，新亮智能PIN二极管从400nm-1000nm，

　　2. 信噪比很高，

　　3. 响应速度更快，

　　4. 成本低廉，

　　5. 稳定性更高

　　6. 频率高，非常适宜于快速变化的光信号探测。

　　选择光电二极管的时候会存在很多权衡，包括光电二极管的尺寸，电容，噪声，暗电流以及封装类型。一般来说，最好是选用较小的同时带有反射器或者透镜可以聚集光源的光电二极管。

　　重点参数(以新亮智能3030封装PD为例)

　　新亮智能独立自主研发的PIN型光电二极管，结容量低，可获得快速响应。接收波长范围广(400-1000nm)，其中，940nm带通滤波PIN光电二极管接收波长精度高±50nm。平面封装尺寸3x3mm可选，还可根据客户需求定制专属。

　　3030封装

　　光电二极管(PD)广泛应用于接近传感、雷达、安全光幕、、激光医疗、通信、温度传感等领域。

　　通信 安全光幕

　　激光医疗

　　新亮智能不仅生产单独的光电二极管，并且对于很多基本的应用，将光电二极管和VCSEL集成组件的需求能提供一个完整的解决方案。